SK Hynix ha presentato una nuova memoria NAND a 72 layer da ben 256GB che potrà essere utilizzata sui prossimi iPhone. Con quasi il doppio delle celle rispetto alla precedente versione, 48 prima 72 adesso, la nuova flash chip sarà in grado di effettuare operazioni interne al doppio della velocità e sarà circa il 20% più veloce in lettura/scrittura.
L’azienda ha prodotto i chip da 48-layer da 256GB a Novembre 2016 e la precedente versione da 36-layer da 128GB era stata lanciata nell’Aprile del 2016. Alla luce di queste modifiche pare che essi siano in linea con l’upgrade annuale.
SK Hynix avvierà la produzione dei nuovi chip nella seconda metà di quest’anno quindi è possibile che Apple non adotterà le nuove memoria sulla prossima versione dei suoi iPhone.
Le attuali memorie NAND disponibili in iPhone 7 e iPhone 7 Plus provengono da due fornitori differenti: Toshiba e SK Hynix.
Quando iPhone 7 fu reso disponibile sul mercato abbiamo assistito a performance risultanti differenti tra i modelli da 32GB e i modelli da 128GB, con differenze in termini di lettura in Mbps di rispettivamente 656 per la versione da 32 e ben 856 Mbps per la versione da 128. Ma le differenze sostanziali si sono notate in modalità scrittura con 42 Mbps per la versione da 32GB e 341 Mbps per la versione da 128GB.
Le differenze sarebbero da attribuire alle tecnologie utilizzate da Toshiba nel modello da 128GB di iPhone 7. La NAND BiCS 3D, o Bit Cost Scaling, utilizzata dall’azienda salverebbe tre bit di dati per transistor e dispone di 48 layer in un singolo stampo, permettendo così maggiori performance in lettura e scrittura se confrontate com le memoria 2D.
Sia le memorie Toshiba che SK Hynix utilizzate negli iPhone 7 sono da 15 nanometri. I modelli invece con 256GB di memoria utilizzano uno stack da 8 stampi diverso dalle memorie da 128GB che ne avrebbero 16.
Insomma, non ci rimane altro che aspettare e scoprire, quando i nuovi dispositivi verranno rilasciati se Apple avrà adottato o meno le nuove memorie.
Immagini tratte da iDownloadBlog
